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MJE5852G

PNP-Bipolartransistor

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MJE5852G ON Semiconductor (Farchild)
MJE5852G ON Semiconductor (Farchild)
MJE5852G ON Semiconductor (Farchild)
Stück
ID Code:152674
Hersteller:ON Semiconductor (Farchild)
Preis inkl. MwSt. : 3,152783 €
Preis ohne MwSt. : 2,605606 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: MJE5852G
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25 + 1,981840 €2,398026 €
PNP-Bipolartransistor

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMJE5852G 
Art der Komponente:Transistor Bipolar PNP 
KategorieBipolar PNP 
Konfiguration:single 1*(T+D) 
Gehäusetyp:THT 
Gehäuse [inch] :TO-220AB 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:2.4 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):50 

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)-8 [A]
UCE (sat) (@25°C)-2 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)80 [W]
hFE current gain (max./typ.)5÷ 

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:TO-220 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-65 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)1.25 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

RM - Anschlussraster2.5 [mm]
Anzahl der Stifte
L - Länge 15 [mm]
L1 - Länge 6.5 [mm]
W - Breite 10 [mm]
H - Höhe [mm]
Abmessungen der Anschlüsse[mm]
Lv - Anschlusslänge12.7 [mm]

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