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MID150-12A4

IGBT 1200V

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MID150-12A4 Ixys
MID150-12A4 Ixys
MID150-12A4 Ixys
Stück
ID Code:161365
Hersteller:Ixys
Preis inkl. MwSt. : 142,574753 €
Preis ohne MwSt. : 117,830375 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: MID150-12A4
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10 + 112,268245 €135,844576 €
IGBT 1200V

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMID150-12A4 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:Low side 1*(Boost Chopper) 
Konstruktion:1*(IGBT+D)+D 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 1 ks
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :SEMITRANS-3s 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:270 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):12 

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)180 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)120 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.3 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.2 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)760 [W]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)200 [ns]
tr (Turn-on / rise time)70 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)70 [ns]
Cin (Input Capacitance)6600 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:106x62x30 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.17 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

L - Länge 106 [mm]
W - Breite 61 [mm]
H - Höhe 30 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative Produkte 1:SKM200GAL123D 

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ID: 176028   Hersteller-Nr.: F05-AL2- 62x108mm  
Menge [Stück]1+10+20+50+
EUR/Stück3,4319533,0295862,8323472,540434
auf Anfrage
Hersteller: SEMIC EU  
RoHS
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