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MG50Q1BS1

IGBT 1200V

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MG50Q1BS1 Toshiba
MG50Q1BS1 Toshiba
MG50Q1BS1 Toshiba
Stück
ID Code:144264
Hersteller:Toshiba
Preis inkl. MwSt. : 83,927936 €
Preis ohne MwSt. : 69,361930 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: MG50Q1BS1
Vorlaufzeit ab Werk: Obsolete
Einheit:: Stück
Übersicht über Mengenrabatte
Anzahl (Stück)Preis ohne MwSt.Preis inkl. MwSt.
1 + 69,361930 €83,927935 €
10 + 66,884721 €80,930512 €
25 + 64,407507 €77,933083 €
50 + 61,930297 €74,935659 €
IGBT 1200V

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMG50Q1BS1 
Vorlaufzeit ab WerkObsolete [wk]
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:single (1T) 
Konstruktion:1*IGBT 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 1 ks
Gehäusetyp:Modul 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSNein 
REACHNein 
NOVINKA

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:93.5 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):25 

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)50 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UCE (sat) (@25°C)2.7 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)300 [W]
tr (Turn-on / rise time)300 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)600 [ns]
Cin (Input Capacitance)7800 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.41 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

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