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MBR10200CT

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MBR10200CT Sirectifier
MBR10200CT Sirectifier
MBR10200CT Sirectifier
Stück
ID Code:182096
Hersteller:Sirectifier
Preis inkl. MwSt. : 0,5206 €
Preis ohne MwSt. : 0,4303 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:Auf Lager
Gesamtbestand:50 Stück
Herstellerkennzeichnung: MBR10200CT
Zentrallager Zdice: 50 Stück
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Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMBR10200CT 
Art der Komponente:Diode Schottky Silicon 
KategorieDiode Schottky THT 
Konfiguration:com.cathode 2D 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 2 ks
Art des Materials:!_si-silicon_! 
Luftspalt (nach Artikelnummer) 999.99 [mm]
RoHSJa 
REACHNein 
Gehäusetyp:THT 
Gehäuse:TO-220AB 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:2.4 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):50 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)10 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

IF(AV) (Tc/Ta=120÷129°C)10 [A]
UF (maximum forward voltage)0.95 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (Rückstrom)50 [µA]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)10000 [V/µs]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-65 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)4.5 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

RM - Anschlussraster2.5 [mm]
Anzahl der Stifte
W - Breite 10 [mm]
L - Länge 15 [mm]
L1 - Länge 6.5 [mm]
H - Höhe [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)TO-220 [mm]
Abmessungen der Anschlüsse[mm]
Lv - Anschlusslänge12.7 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative 1:132002 - 10CTQ150 (VIS) 
Alternative 2:144064 - STPS10150CT (STM) 

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