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MBR10200CT

Halbleiter - Dioden - Schottky - Silicon
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MBR10200CT Sirectifier
MBR10200CT Sirectifier
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MBR10150CT_SRF.pdf
Stück
ID Code:182096
Hersteller:Sirectifier
Preis inkl. MwSt. : 0,4788 €
Preis ohne MwSt. : 0,3957 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:Auf Lager
Gesamtbestand:50 Stück
Herstellerkennzeichnung: MBR10200CT
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Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMBR10200CT 
Gehäusetyp:THT 
Gehäuse:TO-220AB 
KategorieDiode Schottky Silicon 
Art der Komponente:!_diode schottky tht_! 
Konfiguration:2xDiode, com.cathode 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKAA 

Elektrische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten

Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)10 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.

Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

IF(AV) (Tc/Ta=120÷129°C)10 [A]
UF (maximum forward voltage)0.95 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (Rückstrom)50 [µA]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)10000 [V/µs]

Material, Farbe, Design:

Art des Materials:!_si-silicon_! 

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-65 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)4.5 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten

Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Abmessungen:

Luftspalt (nach Artikelnummer) 999.99 [mm]
Anzahl der Stifte 3 
Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:2.54 [g]
VPE (Verpackung):50 

Alternativen und Ersätze

Alternative 1:10CTQ150 
Alternative 2:STPS10150CT 

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