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IXGN200N60B3

IGBT 600V

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IXGN200N60B3 Ixys
IXGN200N60B3 Ixys
Stück
ID Code:171553
Hersteller:Ixys
Preis inkl. MwSt. : 32,1076 €
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MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: IXGN200N60B3
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IGBT 600V

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungIXGN200N60B3 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:single Transistor 
Konstruktion:!_1*igbt_! 
Art des Materials:!_si-silicon_! 
RoHSJa 
REACHNein 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:SOT-227 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:44.3 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):10 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 600 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)300 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)300 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)200 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UCE (sat) (@25°C)1.5 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)830 [W]
tr (Turn-on / rise time)44 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)310 [ns]
Qg (Total Gate Charge)750 [nC]
Cin (Input Capacitance)26000 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.15 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative 1:171551 - IXGN200N60B (IXY) 

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ID: 181709   Hersteller-Nr.: F05-AL2-25,4x38,2mm-Uni  
Menge [Stück]1+10+50+100+
EUR/Stück0,73940,69830,65720,5751
Gesamtbestand: 3399
Hersteller: -  
RoHS
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