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IXFN60N80P

Halbleiter - Transistoren - FET - N - Kanal
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IXFN60N80P Ixys
IXFN60N80P Ixys
IXFN60N80P Ixys
IXFN60N80P_IX.pdf
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Stück
ID Code:181387
Hersteller:Ixys
Preis inkl. MwSt. : 43,7484 €
Preis ohne MwSt. : 36,1557 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: IXFN60N80P
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Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungIXFN60N80P 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:SOT-227 
KategorieFET N-Channel 
Art der Komponente:!_n_fet 1x single_! 
Konfiguration:!_single 1*(t+d)_! 
Art des Materials:!_si-silicon_! 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKAA 
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:0.09 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):10 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 800 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten

Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)53 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.

Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)53 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)1040 [W]
Input Logic Level (UGS level)10V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)140 [mΩ]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)250 [ns]
Qg (Total Gate Charge)250 [nC]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.12 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten

Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

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