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IXFN100N50P

Trans MOSFET N-CH 500V 90A 4-Pin SOT-227B

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IXFN100N50P Ixys
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IXFN100N50P Ixys
IXFN100N50P Ixys
Stück
ID Code:163592
Hersteller:Ixys
Preis inkl. MwSt. : 34,632846 €
Preis ohne MwSt. : 28,622187 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:Auf Lager
Gesamtbestand:4 Stück
Herstellerkennzeichnung: IXFN100N50P
Zentrallager Zdice: 4 Stück
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20 + 25,345440 €30,667982 €


Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungIXFN100N50P 
Art der Komponente:FET Tranzistor 
KategorieFET N-Channel 
Konfiguration:Single 1*(T-BD) 
Spezifikationen:Enhancement Mode 
Konstruktion:1*FET-BD 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 1 ks
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :SOT-227 
Art des Materials:Si-Silicon 
Material BaseNo Info 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:36 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):10 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 500 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)1040 [W]
Input Logic Level (UGS level)10V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)49 [mΩ]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)200 [ns]
Qg (Total Gate Charge)240 [nC]
Cin (Input Capacitance)20000 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:38.1*25.3*12.0 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.12 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

RM - Anschlussraster15 [mm]
RM1 - Abstand der Reihen 12.7 [mm]
D - Ø (Außendurchmesser)4.1 [mm]
L - Länge 38.1 [mm]
W - Breite 25.3 [mm]
H - Höhe 12 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative Produkte 1:FA57SA50LC 
Alternative Produkte 2:STE53NC50 

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