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IXBN75N170A

Brake Over Diode 1200V

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IXBN75N170A Ixys
IXBN75N170A Ixys
Stück
ID Code:182208
Hersteller:Ixys
Preis inkl. MwSt. : 55,2735 €
Preis ohne MwSt. : 45,6806 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:Auf Lager
Gesamtbestand:12 Stück
Herstellerkennzeichnung: IXBN75N170A
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Protection of Thyristor Gates 1200V
Ochrana gatů tyristorů 1200V
Protection of Thyristor Gates 1200V
Brake Over Diode 1200V

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungIXBN75N170A 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:SOT-227 
KategorieBipolar NPN 
Art der Komponente:!_npn_! 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA

Elektrische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1700 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

UF (maximum forward voltage)4.2 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

Ubr / Ubo / Uz1200 [V]
UCE (sat) (@25°C)4.95 [V]
IDC-OUT (TC/TA=25°C)[A]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)1000 [V/µs]
di/dt (critical rate of rise of on-state current)200 [A/µs]
I2t (TC/TA=25°C)0.000125 [1000*A2s]
tf/tq (Turn-off / fall time)150000 [ns]

Material, Farbe, Design:

Art des Materials:!_si-silicon_! 

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.2 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Abmessungen:

Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:44.2 [g]
VPE (Verpackung):10 

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