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HGTP12N60A4

IGBT 600V

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HGTP12N60A4 ON Semiconductor (Farchild)
HGTP12N60A4 ON Semiconductor (Farchild)
Stück
ID Code:140409
Hersteller:ON Semiconductor (Farchild)
Preis inkl. MwSt. : 4,6969 €
Preis ohne MwSt. : 3,8817 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:Auf Lager
Gesamtbestand:3 Stück
Herstellerkennzeichnung: HGTP12N60A4
Zentrallager Zdice: 3 Stück
Externlager (Lieferzeit 5÷10 Tage): 0 Stück
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400 + 2,6412 €3,1959 €
IGBT 600V

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungHGTP12N60A4 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:single Transistor 
Konstruktion:!_1*igbt_! 
Art des Materials:!_si-silicon_! 
RoHSJa 
REACHNein 
Gehäusetyp:THT 
Gehäuse:TO-220AB 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:2.3 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):50 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 600 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)54 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)54 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)23 [A]
UCE (sat) (@25°C)2.7 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)167 [W]
Input Logic Level (UGS level)15V 
tr (Turn-on / rise time)[ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)18 [ns]
Qg (Total Gate Charge)78 [nC]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.75 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Anzahl der Stifte
Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

!_potrebujete poradit ?_! HGTP12N60A4 ON Semiconductor (Farchild)

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