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FGH40T120SQDNL4

Ultra Field Stop Trench IGBT 1200V

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FGH40T120SQDNL4 ON Semiconductor (Farchild)
FGH40T120SQDNL4 ON Semiconductor (Farchild)
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ID Code:185625
Hersteller:ON Semiconductor (Farchild)
Preis: auf Anfrage
MwSt.:21 %
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: FGH40T120SQDNL4
Einheit:: Stück
Ultra Field Stop Trench IGBT 1200V

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungFGH40T120SQDNL4 
Gehäusetyp:THT 
Gehäuse:TO-247/4LHP 
KategorieIGBT Full Silicon 
Art der Komponente:!_npn_! 
Konfiguration:single Transistor 
Art des Materials:!_si-silicon_! 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:6.13 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):30 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)40 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)40 [A]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)454 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)166 [ns]
tr (Turn-on / rise time)33 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)56 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.025 [MHz] ?

fmax - Definitionen für Komponenten


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

hFE current gain (max./typ.)14 
Qg (Total Gate Charge)221 [nC]
Cin (Input Capacitance)5000 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.33 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.61 [°C/W]
Anzahl der Stifte
Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

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