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FF11MR12W1M1_B11

SiC module 1200V/ 100A

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FF11MR12W1M1_B11 Infineon Technologies
FF11MR12W1M1_B11 Infineon Technologies
Stück
ID Code:180130
Hersteller:Infineon Technologies
Preis inkl. MwSt. : 271,933215 €
Preis ohne MwSt. : 224,738194 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: FF11MR12W1M1_B11
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48 + 171,230982 €207,189488 €
SiC module 1200V/ 100A

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungFF11MR12W1M1_B11 
Art der Komponente:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD) 
Konfiguration:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Spezifikationen:SiC N-Channel MOSFET 
Konstruktion:2*FET-BD 
Gehäusetyp:Modul 
Art des Materials:SiC 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:26.4 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):24 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Uisol (@25°C/1min/50Hz)3000 [V]
Input Logic Level (UGS level)20V 
tr (Turn-on / rise time)16 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)31 [ns]
Qg (Total Gate Charge)250 [nC]
Cin (Input Capacitance)7950 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.553 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

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auf Anfrage
Hersteller: SEMIC EU  
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