SiC module 1200V/ 100A
ID Code: | 180130 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Preis inkl. MwSt. : | 271,933215 € |
Preis ohne MwSt. : | 224,738194 € |
MwSt.: | 21 % |
Verfügbarkeit: | auf Anfrage |
Gesamtbestand: | 0 Stück |
Herstellerkennzeichnung: | FF11MR12W1M1_B11 |
Einheit:: | Stück |
Übersicht über Mengenrabatte | Anzahl (Stück) | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. | |
1 + | 224,738194 € | 271,933215 € | ||
12 + | 214,028848 € | 258,974906 € | ||
24 + | 181,940328 € | 220,147797 € | ||
48 + | 171,230982 € | 207,189488 € |
Herstellerkennzeichnung | FF11MR12W1M1_B11 |
Art der Komponente: | SiC MOSFET Tranzistor |
Kategorie | Full SiC (MOS-BD) |
Konfiguration: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Spezifikationen: | SiC N-Channel MOSFET |
Konstruktion: | 2*FET-BD |
Gehäusetyp: | Modul |
Art des Materials: | SiC |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 26.4 [g] |
Verpackungstyp: | BOX |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 24 |
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - Definitionen für Komponenten Udc = URRM - Diode Udc = UDRM, URRM - Thyristor Udc = UCEO - Transistoren Udc = Umax - |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 3000 [V] |
Input Logic Level (UGS level) | 20V |
tr (Turn-on / rise time) | 16 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 31 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 250 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 7950 [pF] |
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 150 [°C] |
Rth-c (Wärmewiderstand) | 0.553 [°C/W] ? Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
I+case 33,8x 48_F05-AL2 Thermally Conductive, Silcone free Shape for insulated Packages as EasyPACK-1B ID: 176029 Hersteller-Nr.: F05-AL2-33,8x48mm_EASYPACK1 | auf Anfrage Hersteller: SEMIC EU |