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DSF11060SG60

Fast recovery Diode 6000V/400A

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DSF11060SG60 Dynex Semiconductor
DSF11060SG60 Dynex Semiconductor
Stück
ID Code:178994
Hersteller:Dynex Semiconductor
Preis inkl. MwSt. : 252,0972 €
Preis ohne MwSt. : 208,3448 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
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Herstellerkennzeichnung: DSF11060SG
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Fast recovery Diode 6000V/400A

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDSF11060SG 
Gehäusetyp:PUK 
Gehäuse:PUK 58/34x26 
KategorieDiode Fast Disc 
Art der Komponente:!_diode fast_! 
Konfiguration:1xDiode 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA

Elektrische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 6000 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)400 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=60÷69°C)400 [A]
UF (maximum forward voltage)3.8 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

I2t (TC/TA=25°C)88 [1000*A2s]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)6000 [ns]

Material, Farbe, Design:

Art des Materials:!_si-silicon_! 

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)135 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.032 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Fmin:10800 [N]
Fmax:13200 [N]

Abmessungen:

Luftspalt (nach Artikelnummer) 999.99 [mm]
Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:310 [g]
VPE (Verpackung):

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