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DRD1320G30

Rectifier Diode 3000V/1320A

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DRD1320G30 Dynex Semiconductor
DRD1320G30 Dynex Semiconductor
Stück
ID Code:185978
Hersteller:Dynex Semiconductor
Preis inkl. MwSt. : 122,5044 €
Preis ohne MwSt. : 101,2433 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: DRD1320G30
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Rectifier Diode 3000V/1320A

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDRD1320G30 
Gehäusetyp:PUK 
Gehäuse:PUK 58/34x26 
KategorieDiode Standard Disc 
Art der Komponente:!_diode standard_! 
Konfiguration:1xDiode 
Art des Materials:!_si-silicon_! 
Luftspalt (nach Artikelnummer) 999.99 [mm]
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:260 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):10 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 3000 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)1849 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)1849 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)1315 [A]
UF (maximum forward voltage)1.3 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (Rückstrom)50000 [µA]
I2t (TC/TA=25°C)1280 [1000*A2s]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)175 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.032 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]
Fmin:11500 [N]
Fmax:13500 [N]

Alternativen und Ersätze

Alternative Produkte 1:DV827C-1100-28 
Alternative Produkte 2:5SDD 11T2800 

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