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DRA170E44

Avalanche Diode 4400V/219A

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DRA170E44 Dynex Semiconductor
DRA170E44 Dynex Semiconductor
DRA170E44 Dynex Semiconductor
Stück
ID Code:159213
Hersteller:Dynex Semiconductor
Preis inkl. MwSt. : 144,826440 €
Preis ohne MwSt. : 119,691273 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: DRA170E44
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4400V 219A/Tc75°C 170A/100°C 2.5÷3.8kN , Rthjc=0.02°C/W

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDRA170E44 
Art der Komponente:Diode Avalanche 
KategorieDiode Avalanche 
Konfiguration:single (1D) 
Spezifikationen:Bonded cont. 
Gehäusetyp:PUK 
Gehäuse [inch] :PUK 42/25x14 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:95 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):20 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 4400.0 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)219 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)170 [A]
IR (Rückstrom)20000 [µA]
I2t (TC/TA=25°C)11250 [A2s]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)165 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.115 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Anzahl der Stifte
D - Ø (Außendurchmesser)42 [mm]
H - Höhe 14 [mm]
Fmin:2500 [N]
Fmax:3800 [N]

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