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DIM1500ESM33-PR500

IGBT Module 3300V/1500A Single Low Switching Loss Device

Halbleiter - Transistoren - IGBT - Full Silicon
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DIM1500ESM33-PR500 Dynex Semiconductor
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ID Code:185399
Hersteller:Dynex Semiconductor
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IGBT Module 3300V/1500A Single Low Switching Loss Device , Gen4 DMOS

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDIM1500ESM33-PR500 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:MODUL - E 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:!_singl-e 3*(t+d)_! 
Art des Materials:!_si-silicon_! 
Material BaseALSiC 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKAN 
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:1400 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):2 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 3300 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten

Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)1500 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.

Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)1500 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)6000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.7 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.9 [V]
I2t (TC/TA=25°C)720 [1000*A2s]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)15600 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
tr (Turn-on / rise time)340 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)540 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.001 [MHz] ?

fmax - Definitionen für Komponenten

fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)25000 [nC]
Cin (Input Capacitance)260000 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.008 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.016 [°C/W]
Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative Produkte 1:FZ1500R33HE3 
Alternative Produkte 2:CM1500HC-66R 
Alternative Produkte 3:MBN1500E33E2 

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