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DIM1200ASM45-TF000

IGBT 4500V /1200A Single, AlSiC

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DIM1200ASM45-TF000 Dynex Semiconductor
DIM1200ASM45-TF000 Dynex Semiconductor
Stück
ID Code:182767
Hersteller:Dynex Semiconductor
Preis inkl. MwSt. : 1 614,2397 €
Preis ohne MwSt. : 1 334,0824 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
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Herstellerkennzeichnung: DIM1200ASM45-TF000
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IGBT 4500V /1200A Single, AlSiC

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDIM1200ASM45-TF000 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:singl-E 3*(T+D) 
Konstruktion:3*IGBT+3*D 
Art des Materials:AlSiC Base 
Material: GehäuseSi-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:MODUL - A 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:2010.2 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 4500 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)1200 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)1200 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)7400 [V]
UF (maximum forward voltage)2.8 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)3.5 [V]
I2t (TC/TA=25°C)460 [1000*A2s]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)12500 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
tr (Turn-on / rise time)290 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)400 [ns]
Qg (Total Gate Charge)17000 [nC]
Cin (Input Capacitance)150000 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.008 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

W - Breite 140 [mm]
L - Länge 190 [mm]
H - Höhe 48 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)190x140x48 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative Produkte 1:CM1200HC-90R 

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