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DIM1000NSM33-TS000

IGBT Module 3300V/1000A Single, AlSiC ,

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DIM1000NSM33-TS000 Dynex Semiconductor
DIM1000NSM33-TS000 Dynex Semiconductor
DIM1000NSM33-TS000 Dynex Semiconductor
Stück
ID Code:161208
Hersteller:Dynex Semiconductor
Preis inkl. MwSt. : 1 392,527043 €
Preis ohne MwSt. : 1 150,848796 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:Auf Lager
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: DIM1000NSM33-TS000
Zentrallager Zdice: 30 Stück
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12 + 978,247138 €1 183,679037 €
IGBT Module 3300V/1000A Single, AlSiC ,

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDIM1000NSM33-TS000 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:single-E2*(T+D) 
Konstruktion:2*(IGBT+D) 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 2 ks
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :MODUL-N 
Art des Materials:Si-Silicon 
Material BaseALSiC 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:1184.6 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)1000 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)1000 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)6000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.4 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.2 [V]
I2t (TC/TA=25°C)320000 [A2s]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)10400 [W]
Esw (125°C)3900 [mJ]
tr (Turn-on / rise time)400 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)520 [ns]
Qg (Total Gate Charge)17000 [nC]
Cin (Input Capacitance)170000 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:140x130x38 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.012 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

L - Länge 140 [mm]
W - Breite 130 [mm]
H - Höhe 38 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative 1:158514 - FZ1000R33HE3 (INF) 
Alternative Produkte 1:CM1000HC-66R 
Alternative Produkte 2:5SNA 1000N330300 

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