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DIM1000ECM33-TL000

IGBT Chopper Module 3300V/1000A, AlSiC ,

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DIM1000ECM33-TL000 Dynex Semiconductor
DIM1000ECM33-TL000 Dynex Semiconductor
DIM1000ECM33-TL000 Dynex Semiconductor
Stück
ID Code:161279
Hersteller:Dynex Semiconductor
Preis inkl. MwSt. : 1 211,480853 €
Preis ohne MwSt. : 1 001,223845 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: DIM1000ECM33-TL000
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12 + 851,046190 €1 029,765890 €
IGBT Chopper Module 3300V/1000A, AlSiC ,

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDIM1000ECM33-TL000 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:single-E2*(T+D)+D(Chopper) 
Konstruktion:2*IGBT+3*D 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 2 ks
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :MODUL-E 
Art des Materials:Si-Silicon 
Material BaseALSiC 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:1900 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)1000 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)1000 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)6000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.4 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)[V]
I2t (TC/TA=25°C)320000 [A2s]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)10400 [W]
Esw (125°C)4750 [mJ]
tr (Turn-on / rise time)430 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)610 [ns]
Qg (Total Gate Charge)17000 [nC]
Cin (Input Capacitance)170000 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:190x140x38 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.012 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

L - Länge 190 [mm]
W - Breite 140 [mm]
H - Höhe 38 [mm]

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