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DIM1000ECM33-MS018

IGBT Chopper Module 3300V/1000A, AlSiC ,

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DIM1000ECM33-MS018 Dynex Semiconductor
DIM1000ECM33-MS018 Dynex Semiconductor
Stück
ID Code:182758
Hersteller:Dynex Semiconductor
Preis inkl. MwSt. : 2 087,1663 €
Preis ohne MwSt. : 1 724,9309 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: DIM1000ECM33-MS018
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IGBT Chopper Module 3300V/1000A, AlSiC ,

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDIM1000ECM33-MS018 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:MODUL - E 
Konfiguration:Chopper 
Art des Materials:AlSiC Base 
Material: GehäuseSi-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:1400 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 3300 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)1000 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)6000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.9 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.6 [V]
I2t (TC/TA=25°C)320 [1000*A2s]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)11900 [W]
Esw (125°C)4750 [mJ]
Input Logic Level (UGS level)20V 
tr (Turn-on / rise time)470 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)640 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.0008 [MHz] ?

fmax - Definitionen für Komponenten


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.006 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Rthjc1 IGBT0.01 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.018 [°C/W]
Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

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