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DIM 800XSM45-TS000

IGBT Module 4500V/800A Single, AlSiC ,

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DIM 800XSM45-TS000 Dynex Semiconductor
DIM 800XSM45-TS000 Dynex Semiconductor
DIM 800XSM45-TS000 Dynex Semiconductor
Stück
ID Code:161267
Hersteller:Dynex Semiconductor
Preis inkl. MwSt. : 995,610738 €
Preis ohne MwSt. : 822,818792 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: DIM800XSM45-TS000
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12 + 699,407817 €846,283459 €
IGBT Module 4500V/800A Single, AlSiC ,

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDIM800XSM45-TS000 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:single-E2*(T+D) 
Konstruktion:2*(IGBT+D) 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 2 ks
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :MODUL-X 
Art des Materials:Si-Silicon 
Material BaseALSiC 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:1018.6 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)800 [A]
Idc max (Tc/Ta=90÷99°C)800 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)7400 [V]
UF (maximum forward voltage)2.8 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.7 [V]
I2t (TC/TA=25°C)205000 [A2s]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)8300 [W]
tr (Turn-on / rise time)350 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)600 [ns]
Qg (Total Gate Charge)15000 [nC]
Cin (Input Capacitance)100000 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:130x140x48 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.012 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

L - Länge 130 [mm]
W - Breite 140 [mm]
H - Höhe 48 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative Produkte 1:CM800HC-90R 

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