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DIM 450M1HS12-PB500

IGBT 1200V

Halbleiter - Transistoren - IGBT - Full Silicon
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DIM 450M1HS12-PB500 Dynex Semiconductor
DIM 450M1HS12-PB500 Dynex Semiconductor
DIM450M1HS12PB_DY.pdf
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Stück
ID Code:185021
Hersteller:Dynex Semiconductor
Preis inkl. MwSt. : 215,6170 €
Preis ohne MwSt. : 178,1959 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: DIM450M1HS12-PB500
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IGBT 1200V

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDIM450M1HS12-PB500 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:SEMIX-3p 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:Half Bridge 
Art des Materials:!_si-silicon_! 
Material BaseCu 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKAN 
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:345 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):10 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten

Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)450 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.

Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)450 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.65 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.65 [V]
I2t (TC/TA=25°C)4.6 [1000*A2s]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)2800 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
tr (Turn-on / rise time)70 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)260 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.015 [MHz] ?

fmax - Definitionen für Komponenten

fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)4600 [nC]
Cin (Input Capacitance)62000 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.052 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.086 [°C/W]
Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative 1:183412 - TG 450HF12M1-S3A00 (DYN) 

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