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DIM 125PHM65-TS000
SPT IGBT Module 6500V/125A Half Bridge, AlSiC, low switching loss
Nicht mehr auf Lager
| ID Code: | 185427 |
| Hersteller: | Dynex Semiconductor |
| Preis: | auf Anfrage |
| MwSt.: | 21 % |
| Verfügbarkeit: | auf Anfrage |
| Gesamtbestand: | 0 Stück |
| Herstellerkennzeichnung: | DIM125PHM65-TS000 |
| Einheit:: | Stück |
| Übersicht über Mengenrabatte | Anzahl (Stück) | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. |
IGBT Module 3300V/125A Half Bridge, AlSiC, Chip technology Soft Punch Through Silicon and high current density enhanced DMOS.
Grundlegende Informationen:
| Herstellerkennzeichnung | DIM125PHM65-TS000 |
| Kategorie | IGBT Full Silicon |
| Konfiguration: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
| Konstruktion: | 2*(IGBT+D) |
| Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) | 2 ks |
| Gehäusetyp: | Modul |
| Gehäuse [inch] : | MODUL-P |
| Art des Materials: | Si-Silicon |
| Material Base | ALSiC |
| RoHS | Ja |
| REACH | Nein |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Verpackung und Gewicht:
| Einheit: | Stück |
| Gewicht: | 700 [g] |
| Verpackungstyp: | BOX |
| Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 4 |
Elektrophysikalische Parameter:
| IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 125 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 125 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 6000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 3.3 [VDC] ? Testbedingungen: |
| UCE (sat) (@25°C) | 2.8 [V] |
| I2t (TC/TA=25°C) | 11000 [A2s] |
| Pmax mit Kühler (TC=25°C) | 1850 [W] |
| Esw (125°C) | 1200 [mJ] |
| tr (Turn-on / rise time) | 340 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 450 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 2000 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 20000 [pF] |
Thermische und mechanische Parameter:
| Maße (L*W*H) [mm]: | 140x73x38 |
| Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
| Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 150 [°C] |
| Rthjc1 IGBT | 0.054 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.108 [°C/W] |
| L - Länge | 140 [mm] |
| W - Breite | 73 [mm] |
| H - Höhe | 38 [mm] |