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DIM 125PHM65-TS000

SPT IGBT Module 6500V/125A Half Bridge, AlSiC, low switching loss

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DIM 125PHM65-TS000 Dynex Semiconductor
DIM 125PHM65-TS000 Dynex Semiconductor
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ID Code:185427
Hersteller:Dynex Semiconductor
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Herstellerkennzeichnung: DIM125PHM65-TS000
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IGBT Module 3300V/125A Half Bridge, AlSiC, Chip technology Soft Punch Through Silicon and high current density enhanced DMOS.

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDIM125PHM65-TS000 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:MODUL - P 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:Half Bridge 
Art des Materials:!_si-silicon_! 
Material BaseALSiC 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:500 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 6500 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)125 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)125 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)6000 [V]
UF (maximum forward voltage)3.3 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.8 [V]
I2t (TC/TA=25°C)11 [1000*A2s]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)1850 [W]
Esw (125°C)1200 [mJ]
Input Logic Level (UGS level)20V 
tr (Turn-on / rise time)340 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)450 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.001 [MHz] ?

fmax - Definitionen für Komponenten


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)2000 [nC]
Cin (Input Capacitance)20000 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.054 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.108 [°C/W]
Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

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