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DIM 125PHM33-TS000

SPT IGBT Module 3300V/125A Half Bridge, AlSiC, low switching loss

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DIM 125PHM33-TS000 Dynex Semiconductor
DIM 125PHM33-TS000 Dynex Semiconductor
DIM 125PHM33-TS000 Dynex Semiconductor
Stück
ID Code:185401
Hersteller:Dynex Semiconductor
Preis inkl. MwSt. : 529,667588 €
Preis ohne MwSt. : 437,741808 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: DIM125PHM33-TS000
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12 + 372,088433 €450,227004 €
IGBT Module 3300V/125A Half Bridge, AlSiC, Chip technology Soft Punch Through Silicon and high current density enhanced DMOS.

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDIM125PHM33-TS000 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Konstruktion:2*(IGBT+D) 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 2 ks
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :MODUL-P 
Art des Materials:Si-Silicon 
Material BaseALSiC 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:700 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)125 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)125 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)6000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.5 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.2 [V]
I2t (TC/TA=25°C)5000 [A2s]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)1300 [W]
Esw (125°C)1200 [mJ]
tr (Turn-on / rise time)520 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)610 [ns]
Qg (Total Gate Charge)2500 [nC]
Cin (Input Capacitance)22500 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:140x73x38 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.096 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

L - Länge 140 [mm]
W - Breite 73 [mm]
H - Höhe 38 [mm]

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