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DIM 125PHM33-TS000
SPT IGBT Module 3300V/125A Half Bridge, AlSiC, low switching loss
| ID Code: | 185401 |
| Hersteller: | Dynex Semiconductor |
| Preis inkl. MwSt. : | 579,1153 € |
| Preis ohne MwSt. : | 478,6077 € |
| MwSt.: | 21 % |
| Verfügbarkeit: | auf Anfrage |
| Gesamtbestand: | 0 Stück |
| Herstellerkennzeichnung: | DIM125PHM33-TS000 |
| Einheit:: | Stück |
| Übersicht über Mengenrabatte | Anzahl (Stück) | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. | |
| 1 + | 478,6077 € | 579,1153 € | ||
| 3 + | 466,6511 € | 564,6479 € | ||
| 6 + | 442,6948 € | 535,6608 € | ||
| 12 + | 406,8252 € | 492,2585 € |
IGBT Module 3300V/125A Half Bridge, AlSiC, Chip technology Soft Punch Through Silicon and high current density enhanced DMOS.
Grundlegende Informationen:
| Herstellerkennzeichnung | DIM125PHM33-TS000 |
| Kategorie | IGBT Full Silicon |
| Konfiguration: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
| Konstruktion: | 2*(IGBT+D) |
| Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) | 2 ks |
| Art des Materials: | Si-Silicon |
| Material Base | ALSiC |
| RoHS | Ja |
| REACH | Nein |
| Gehäusetyp: | MODUL |
| Gehäuse: | MODUL - P |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Verpackung und Gewicht:
| Einheit: | Stück |
| Gewicht: | 700 [g] |
| Verpackungstyp: | BOX |
| Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 4 |
Elektrophysikalische Parameter:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 3300 [V] ? Udc - Definitionen für Komponenten Udc = URRM - Diode Udc = UDRM, URRM - Thyristor Udc = UCEO - Transistoren Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 125 [A] ? Strömen bei der niedrigsten Temperatur. Idc=IF (AV) - Diode Idc=IT (AV) - Thyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Transistor: FET
|
| IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C) | 125 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 6000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 2.5 [VDC] ? Testbedingungen: |
| UCE (sat) (@25°C) | 2.2 [V] |
| I2t (TC/TA=25°C) | 5 [1000*A2s] |
| Pmax mit Kühler (TC=25°C) | 1300 [W] |
| Esw (125°C) | 1200 [mJ] |
| Input Logic Level (UGS level) | 20V |
| tr (Turn-on / rise time) | 520 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 610 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 2500 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 22500 [pF] |
Thermische und mechanische Parameter:
| Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
| Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 150 [°C] |
| Rth-c (Wärmewiderstand) | 0.096 [°C/W] ? Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
| W - Breite | 73 [mm] |
| L - Länge | 140 [mm] |
| H - Höhe | 38 [mm] |
| Rozměry/Velikost (LxWxH) | 140x73x38 [mm] |