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Hybrid SiC

Halbleiter - Transistoren - IGBT - Hybrid SiC
Gehäusetyp:(5)
Gehäuse:(5)
Konfiguration:(5)
Udc (URRM, UCEO, Umax)  [V] (5)?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) [A] (5)?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

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DIM1200ESM33-MH00 DIM1200ESM33-MH00   Fast IGBT Module 3300V/1200A Single Fast SiC Diodes
ID: 185397   Hersteller-Nr.: DIM1200ESM33-MH00  
auf Anfrage
Hersteller: Dynex Semiconductor  
SEMiX603GB12E4SiCp SEMiX603GB12E4SiCp   IGBT 1200V Hybrid SiC
ID: 173637   Hersteller-Nr.: SEMiX603GB12E4SiCp  
auf Anfrage
Hersteller: Semikron  
SK50GH12T4T SK50GH12T4T   IGBT 1200V
ID: 177527   Hersteller-Nr.: SK50GH12T4T  
auf Anfrage
SKM200GB12F4SiC2 SKM200GB12F4SiC2   IGBT 1200V Hybrid SiC
ID: 173633   Hersteller-Nr.: SKM200GB12F4SiC2  
auf Anfrage
Hersteller: Semikron  
SKM200GB12T4SiC2 SKM200GB12T4SiC2   IGBT 1200V Hybrid SiC
ID: 173631   Hersteller-Nr.: SKM200GB12T4SiC2  
auf Anfrage
Hersteller: Semikron  
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