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DIM 800XSM33-F000

IGBT Module 3300V/800A Single, AlSiC ,

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DIM 800XSM33-F000 Dynex Semiconductor
DIM 800XSM33-F000 Dynex Semiconductor
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ID Code:184124
Hersteller:Dynex Semiconductor
Preis inkl. MwSt. : 1 107,9643 €
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Herstellerkennzeichnung: DIM800XSM33-F000
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IGBT Module 3300V/800A Single, AlSiC ,

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDIM800XSM33-F000 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:MODUL - X 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:!_singl-e 2*(t+d)_! 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA

Elektrische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 3300 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)800 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=90÷99°C)800 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)10200 [V]
UF (maximum forward voltage)2.9 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.8 [V]
I2t (TC/TA=25°C)320 [1000*A2s]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)10400 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
tr (Turn-on / rise time)275 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)270 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.001 [MHz] ?

fmax - Definitionen für Komponenten


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)20000 [nC]
Cin (Input Capacitance)100000 [pF]

Material, Farbe, Design:

Art des Materials:!_si-silicon_! 
Material BaseALSiC 

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.012 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Rthjc1 IGBT0.024 [°C/W]

Abmessungen:

Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:1100 [g]
VPE (Verpackung):

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