IGBT Module 6500V/1000A Single, AlSiC ,
Grundlegende Informationen:
Herstellerkennzeichnung | DIM1000ASM65-UF000 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguration: | single-E3*(T+D) |
Konstruktion: | 3*(IGBT+D) |
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) | 3 ks |
Gehäusetyp: | Modul |
Gehäuse [inch] : | MODUL-A |
Art des Materials: | Base AlSiC |
Material: Gehäuse | Si-Silicon |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Verpackung und Gewicht:
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 2010.2 [g] |
Verpackungstyp: | BOX |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 2 |
Elektrophysikalische Parameter:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 1000 [A] |
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C) | 1000 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 10200 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 3.8 [VDC] ?Testbedingungen: Ta=25°C, IF=In/Imax |
UCE (sat) (@25°C) | 3.6 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 470000 [A2s] |
Pmax mit Kühler (TC=25°C) | 13900 [W] |
tr (Turn-on / rise time) | 140 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 230 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 15000 [nC] |
Thermische und mechanische Parameter:
Maße (L*W*H) [mm]: | 190x140x48 |
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 125 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.009 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.018 [°C/W] |
L - Länge | 190 [mm] |
W - Breite | 140 [mm] |
H - Höhe | 48 [mm] |