Tschechien (čeština) Englisch Deutschland (Deutsch) Österreich (Deutsch) Schweiz (Deutsch) Slowakei (slovenčina) Ungarn (magyar) Rumänien (Română) Frankreich (français) Italien (italiano) Polen (polski) Estland (eesti keel) Russland (pусский) Spanien (español) Slowenien (slovenščina) Kroatien (hrvatski) Bulgarien (български)
Sie haben keine Ware in Ihrem Warenkorb

DIM1000ASM65-UF000

IGBT Module 6500V/1000A Single, AlSiC ,

Bildchen:
Zum Vergrößern anklicken
DIM1000ASM65-UF000 Dynex Semiconductor
DIM1000ASM65-UF000 Dynex Semiconductor
Stück
ID Code:182769
Hersteller:Dynex Semiconductor
Preis inkl. MwSt. : 1 725,5714 €
Preis ohne MwSt. : 1 426,0921 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: DIM1000ASM65-UF000
Zentrallager Zdice: 0 Stück
Externlager Karlsbad (Lieferzeit 5÷10 Tage): 0 Stück
Einheit:: Stück
Mengenrabatt
AnzahlPreis ohne MwSt.Preis inkl. MwSt.
1 + 1 426,0921 €1 725,5714 €
2 + 1 390,4407 €1 682,4333 €
IGBT Module 6500V/1000A Single, AlSiC ,

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDIM1000ASM65-UF000 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:MODUL - A 
Konfiguration:!_singl-e 3*(t+d)_! 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA

Elektrische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 6500 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)1000 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)1000 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)10200 [V]
UF (maximum forward voltage)3.8 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)3.6 [V]
I2t (TC/TA=25°C)470 [1000*A2s]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)13900 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
tr (Turn-on / rise time)140 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)230 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.001 [MHz] ?

fmax - Definitionen für Komponenten


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)15000 [nC]

Material, Farbe, Design:

Art des Materials:AlSiC Base 
Material: Gehäuse!_si-silicon_! 

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rthjc1 IGBT0.009 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.018 [°C/W]

Abmessungen:

Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:1700 [g]
VPE (Verpackung):

Ihre Anfrage DIM1000ASM65-UF000

Ihr Name, Nachname, Firma:*
Ihre E-Mail:*
Ihre Telefonnummer:*
Ihre Anfrage:*
Bitte schreiben Sie code:* antispam
     Weitere Informationen

An einen Freund senden

Ihr Name
Ihre E-Mail
e-mail Ihres Freundes
Bitte schreiben Sie Code aus dem Bild antispam
Copyright © www.semic-shop.de by Shop5.cz

© www.semic-shop.de

Helfen Sie bei der Erbringung von Dienstleistungen uns Cookies. Mithilfe unserer Dienstleistungen Stimmen Sie unserer Verwendung von Cookies.   Weitere Informationen