IGBT 1200V - 3-Level Inverter
ID Code: | 183855 |
Hersteller: | Semikron |
Preis: | auf Anfrage |
MwSt.: | 21 % |
Gesamtbestand: | 0 Stück |
Herstellerkennzeichnung: | SEMiX305MLI12E4 |
Einheit:: | Stück |
Herstellerkennzeichnung | SEMiX305MLI12E4 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguration: | 3-level NPC Inverter |
Konstruktion: | 4*IGBT+6*D |
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) | 4 ks |
Gehäusetyp: | Modul |
Gehäuse [inch] : | SEMiX-5 |
Art des Materials: | Si-Silicon |
Material Base | Cu+AL2O3 |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 470 [g] |
Verpackungstyp: | BOX |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 10 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 451 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 347 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.46 [VDC] ? Testbedingungen: |
UCE (sat) (@25°C) | 1.8 [V] |
Qg (Total Gate Charge) | 1700 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 18600 [pF] |
Maße (L*W*H) [mm]: | 130x103x21 |
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 175 [°C] |
Rth-c (Wärmewiderstand) | 0.1 [°C/W] ? Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
L - Länge | 130 [mm] |
W - Breite | 103 [mm] |
H - Höhe | 21 [mm] |