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SEMiX603GB17E4p

IGBT 1700V

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SEMiX603GB17E4p Semikron
SEMiX603GB17E4p Semikron
Stück
ID Code:183814
Hersteller:Semikron
Preis inkl. MwSt. : 283,2185 €
Preis ohne MwSt. : 234,0649 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: SEMiX603GB17E4p
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IGBT 1700V

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungSEMiX603GB17E4p 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:SEMIX-3p 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:Half Bridge 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA

Elektrische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1700 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)981 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)981 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)754 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.88 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.95 [V]
Input Logic Level (UGS level)15V 
tr (Turn-on / rise time)75 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)170 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.01 [MHz] ?

fmax - Definitionen für Komponenten


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)3450 [nC]
Cin (Input Capacitance)48000 [pF]

Material, Farbe, Design:

Art des Materials:!_si-silicon_! 

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.035 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Abmessungen:

Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:350 [g]
VPE (Verpackung):

Alternativen und Ersätze

Alternative Produkte 1:FF600R17ME4 

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