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ACR3200VR33

Bypass Thyristor 3300V/3200A for the protection of IGBT modules in VSC multi-level applications

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ACR3200VR33 Dynex Semiconductor
ACR3200VR33 Dynex Semiconductor
ACR3200VR33 Dynex Semiconductor
Stück
ID Code:183764
Hersteller:Dynex Semiconductor
Preis inkl. MwSt. : 937,206086 €
Preis ohne MwSt. : 774,550484 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: ACR3200VR33
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The Dynex Bypass Thyristor range of devices is specially designed for the protection of IGBT modules in VSC multi-level applications, where a reduced forward blocking voltage is required. Very Low Cosmic Ray FIT Rating, High Surge Capability, High dv/dt Rating
The primary characteristic of the bypass thyristor which determines current diversion from the IGBT diode is dynamic on-state voltage, with overall turn-on time a secondary influence. Highly optimised, Low FIT, low Vt, 3.3kV and 4.5kV bypass thyristor devices have been produced for VSC protection.
Voltage Source Converter (VSC) technology provides a number of advantages over traditional (LCC) HVDC including self-commutation, small footprint, and black start capability and is becoming increasingly popular in applications such as offshore wind.With higher voltage systems, where the current handling capability of the IGBT diode is reduced, effective current diversion becomes essential.

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungACR3200VR33 
Art der Komponente:Trisil 
KategorieTrisil-Overvoltage Protection 
Konfiguration:single TY 
Gehäusetyp:PUK 
Gehäuse [inch] :PUK110/73x27T 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:1200 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Idc max (Tc/Ta=60÷69°C)3200 [A]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)10000 [V/µs]
di/dt (critical rate of rise of on-state current)400 [A/µs]
I2t (TC/TA=25°C)9050000 [A2s]
tf/tq (Turn-off / fall time)3000 [ns]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.00746 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

D - Ø (Außendurchmesser)110 [mm]
H - Höhe 27 [mm]
Fmin:48000 [N]
Fmax:59000 [N]

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auf Anfrage
Hersteller: PADA engineering  
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