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S1112SXU60

Flat Base Rectifier 6000V/412A, Anoda Base

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S1112SXU60 Dynex Semiconductor
S1112SXU60 Dynex Semiconductor
Stück
ID Code:183627
Hersteller:Dynex Semiconductor
Preis inkl. MwSt. : 4 645,6415 €
Preis ohne MwSt. : 3 839,3732 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: S1112SXU60
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Flat Base Rectifier Diode 6000V/412A Anoda Base

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungS1112SXU60 
Gehäusetyp:PUK 
Gehäuse:!_puk-fletbase_! 
KategorieDiode Standard Disc 
Art der Komponente:!_diode standard_! 
Konfiguration:1xDiode 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA

Elektrische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 6000 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)412 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)412 [A]
UF (maximum forward voltage)2.6 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (Rückstrom)75000 [µA]
I2t (TC/TA=25°C)361 [1000*A2s]

Material, Farbe, Design:

Art des Materials:!_si-silicon_! 

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.065 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Abmessungen:

Luftspalt (nach Artikelnummer) 999.99 [mm]
Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:810 [g]
VPE (Verpackung):

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