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S1112SXU60

Flat Base Rectifier 6000V/412A, Anoda Base

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S1112SXU60 Dynex Semiconductor
S1112SXU60 Dynex Semiconductor
S1112SXU60 Dynex Semiconductor
Stück
ID Code:183627
Hersteller:Dynex Semiconductor
Preis inkl. MwSt. : 4 682,329714 €
Preis ohne MwSt. : 3 869,693978 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: S1112SXU60
Einheit:: Stück
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1 + 3 869,693978 €4 682,329713 €
3 + 3 772,951629 €4 565,271471 €
6 + 3 579,466930 €4 331,154985 €
12 + 3 289,239882 €3 979,980257 €
Flat Base Rectifier Diode 6000V/412A Anoda Base

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungS1112SXU60 
Art der Komponente:Diode Standard 
KategorieDiode Standard Disc 
Konfiguration:single (1D) 
Gehäusetyp:PUK 
Gehäuse [inch] :PUK-FlatBase 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:835 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)412 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)412 [A]
UF (maximum forward voltage)2.6 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (Rückstrom)75000 [µA]
I2t (TC/TA=25°C)361000 [A2s]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.065 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

D - Ø (Außendurchmesser)52 [mm]
L - Länge 126 [mm]
W - Breite 60 [mm]
H - Höhe 73 [mm]

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