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TIM 800DDM17-A000

IGBT 1700V / 800A Dual

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TIM 800DDM17-A000 Dynex Semiconductor
TIM 800DDM17-A000 Dynex Semiconductor
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ID Code:183399
Hersteller:Dynex Semiconductor
Preis: auf Anfrage
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: TIM800DDM17-A000
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IGBT 1700V / 800A Dual

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungTIM800DDM17-A000 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:single 2*(T+D) 
Konstruktion:2*(IGBT+D) 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 2 ks
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :MODUL-D 
Art des Materials:Si-Silicon 
Material BaseALSiC 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:1185.5 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)800 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)800 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.5 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.7 [V]
I2t (TC/TA=25°C)120000 [A2s]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)6940 [W]
tr (Turn-on / rise time)250 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)170 [ns]
Qg (Total Gate Charge)9000 [nC]
Cin (Input Capacitance)60000 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:130x140x38 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.018 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

L - Länge 130 [mm]
W - Breite 140 [mm]
H - Höhe 38 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative 1:136227 - DIM 800DDM17-A000 &DY (DYN) 
Alternative 2:172320 - TIM 800DDM17-TS000 (DYN) 
Alternative Produkte 1:FF800R17KF6CB2 
Alternative Produkte 2:5SND 0800M170100 
Alternative Produkte 4:FF800R17KE3_B2 

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