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DIM1200ASM45-TF001

IGBT Module 4500V/1200A Single, AlSiC ,

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DIM1200ASM45-TF001 Dynex Semiconductor
DIM1200ASM45-TF001 Dynex Semiconductor
DIM1200ASM45-TF001 Dynex Semiconductor
Stück
ID Code:183253
Hersteller:Dynex Semiconductor
Preis inkl. MwSt. : 1 618,067180 €
Preis ohne MwSt. : 1 337,245604 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
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Herstellerkennzeichnung: DIM1200ASM45-TF001
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IGBT Module 4500V/1200A Single, AlSiC ,

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDIM1200ASM45-TF001 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:single-E3*(T+D) 
Konstruktion:3*(IGBT+D) 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 3 ks
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :MODUL-A 
Art des Materials:Si-Silicon 
Material BaseALSiC 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:2010.2 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)1200 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)1200 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)10200 [V]
UF (maximum forward voltage)2.8 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)3.5 [V]
I2t (TC/TA=25°C)460000 [A2s]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)12500 [W]
Esw (125°C)3900 [mJ]
tr (Turn-on / rise time)290 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)400 [ns]
Qg (Total Gate Charge)17000 [nC]
Cin (Input Capacitance)150000 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:190x140x48 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rthjc1 IGBT0.008 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.016 [°C/W]
L - Länge 190 [mm]
W - Breite 140 [mm]
H - Höhe 48 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative Produkte 1:CM1000HC-66R 
Alternative Produkte 2:5SNA 1000N330300 

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