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DAMH450N100

MOSFET 100V / 320A Half Bridge

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DAMH450N100 Daco Semiconductor
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ID Code:183112
Hersteller:Daco Semiconductor
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Herstellerkennzeichnung: DAMH450N100
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MOSFET 100V / 320A Half Bridge

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDAMH450N100 
Art der Komponente:FET Tranzistor 
KategorieFET N-Channel 
Konfiguration:Half Bridge 
Spezifikationen:Enhancement Mode 
Konstruktion:2*FET-BD 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 2 ks
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :HB-9434 
Art des Materials:Si-Silicon 
Material BaseCu+AL2O3 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:185 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):12 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 100 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)320 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)0.9 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

Pmax mit Kühler (TC=25°C)626 [W]
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)1.5 [mΩ]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)290 [ns]
tr (Turn-on / rise time)56 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)44 [ns]
f max40 [kHz]
Qg (Total Gate Charge)369 [nC]
Cin (Input Capacitance)46880 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:94x34x30 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-50 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.16 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

L - Länge 94 [mm]
W - Breite 34 [mm]
H - Höhe 30 [mm]

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ID: 181711   Hersteller-Nr.: F05-AL2_34x94mm_SEMIPACK2  
Menge [Stück]1+50+200+500+
EUR/Stück1,8048971,6666671,4454981,334913
Gesamtbestand: 177
Hersteller: SEMIC EU  
RoHS
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