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DAMH300N150

MOSFET 150V / 180A Half Bridge

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DAMH300N150 Daco Semiconductor
DAMH300N150 Daco Semiconductor
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ID Code:183106
Hersteller:Daco Semiconductor
Preis: auf Anfrage
MwSt.:21 %
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: DAMH300N150
Einheit:: Stück
MOSFET 150V / 180A Half Bridge

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDAMH300N150 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:SEMITRANS-2s 
KategorieFET N-Channel 
Art der Komponente:!_n-mosfet_! 
Konfiguration:Half Bridge 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA

Elektrische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 150 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)300 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)300 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)180 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)0.85 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

Pmax mit Kühler (TC=25°C)320 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)4.5 [mΩ]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)300 [ns]
tr (Turn-on / rise time)44 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)44 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.04 [MHz] ?

fmax - Definitionen für Komponenten


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)318 [nC]
Cin (Input Capacitance)45000 [pF]

Material, Farbe, Design:

Art des Materials:!_si-silicon_! 
Material BaseCu+AL2O3 

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-50 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.2 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Abmessungen:

Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:200 [g]
VPE (Verpackung):12 

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