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DACMH120N1200

Full SiC MOSFET 1200V / 76A Half Bridge

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DACMH120N1200 Daco Semiconductor
DACMH120N1200 Daco Semiconductor
Stück
ID Code:183087
Hersteller:Daco Semiconductor
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Full SiC MOSFET 1200V / 76A Half Bridge

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDACMH120N1200 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:SEMITRANS-2s 
KategorieFull SiC 
Art der Komponente:!_n-mosfet_! 
Konfiguration:Half Bridge 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA

Elektrische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)120 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)120 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)76 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)500 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)25 [mΩ]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)135 [ns]
tr (Turn-on / rise time)32 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)32 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.06 [MHz] ?

fmax - Definitionen für Komponenten


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)170 [nC]
Cin (Input Capacitance)4500 [pF]

Material, Farbe, Design:

Art des Materials:!_sic full_! 
Material BaseCu+AL2O3 

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-50 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.22 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Abmessungen:

Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:200 [g]
VPE (Verpackung):12 

Alternativen und Ersätze

Alternative Produkte 1:CAS120M12BM2 

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EUR/Stück1,16531,0876
Gesamtbestand: 2456
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