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DAGNH1001200

Fast IGBT 1200V

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DAGNH1001200 Daco Semiconductor
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DAGNH1001200 Daco Semiconductor
DAGNH1001200 Daco Semiconductor
Stück
ID Code:182983
Hersteller:Daco Semiconductor
Preis inkl. MwSt. : 79,997234 €
Preis ohne MwSt. : 66,113416 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: DAGNH1001200
Zentrallager Zdice: 0 Stück
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4 + 62,793914 €75,980636 €
8 + 45,445564 €54,989132 €
64 + 39,280775 €47,529738 €
High Speed IGBT 1200V above 15kHz

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDAGNH1001200 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Konstruktion:2*(IGBT+D) 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 2 ks
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :HW-9434 
Art des Materials:Si-Silicon 
Material BaseCu 
RoHSNein 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:167.7 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):64 

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)200 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)100 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)3600 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.6 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)780 [W]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)220 [ns]
tr (Turn-on / rise time)60 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)30 [ns]
Cin (Input Capacitance)19000 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.18 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.5 [°C/W]
L - Länge 94 [mm]
W - Breite 34 [mm]
H - Höhe 30 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative 1:181827 - SKM100GB12F4 (SMK) 

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ID: 181711   Hersteller-Nr.: F05-AL2_34x94mm_SEMIPACK2  
Menge [Stück]1+50+200+500+
EUR/Stück1,8059671,6676551,4463541,335704
Gesamtbestand: 177
Hersteller: SEMIC EU  
RoHS
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