High Speed IGBT 1200V above 15kHz
Grundlegende Informationen:
Herstellerkennzeichnung | DAGNH1001200 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguration: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Konstruktion: | 2*(IGBT+D) |
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) | 2 ks |
Gehäusetyp: | Modul |
Gehäuse [inch] : | HW-9434 |
Art des Materials: | Si-Silicon |
Material Base | Cu |
RoHS | Nein |
REACH | Nein |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Verpackung und Gewicht:
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 167.7 [g] |
Verpackungstyp: | BOX |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 64 |
Elektrophysikalische Parameter:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 200 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 100 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 3600 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] ?Testbedingungen: Ta=25°C, IF=In/Imax |
UCE (sat) (@25°C) | 2.6 [V] |
Pmax mit Kühler (TC=25°C) | 780 [W] |
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C) | 220 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 60 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 30 [ns] |
Cin (Input Capacitance) | 19000 [pF] |
Thermische und mechanische Parameter:
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 150 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.18 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.5 [°C/W] |
L - Länge | 94 [mm] |
W - Breite | 34 [mm] |
H - Höhe | 30 [mm] |
Alternativen und Ersätze
Alternative 1: | 181827 - SKM100GB12F4 (SMK) |