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TG650HF17H2-S300

IGBT 1700V / 650A

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TG650HF17H2-S300 Dynex Semiconductor
TG650HF17H2-S300 Dynex Semiconductor
Stück
ID Code:182871
Hersteller:Dynex Semiconductor
Preis inkl. MwSt. : 587,9356 €
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MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
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Herstellerkennzeichnung: TG650HF17H2-S300
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IGBT 1700V / 650A

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungTG650HF17H2-S300 
Gehäusetyp:!_mod_! 
Fall:PrimePACK2 
Art der Komponente:!_no info_! 
Konfiguration:Half Bridge 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA

Elektrische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1700 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)650 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=90÷99°C)650 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.9 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.85 [V]
I2t (TC/TA=25°C)64 [1000*A2s]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)4160 [W]
Input Logic Level (UGS level)15V 
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)240 [ns]
tr (Turn-on / rise time)170 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)360 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.01 [MHz] ?

fmax - Definitionen für Komponenten


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)7700 [nC]
Cin (Input Capacitance)83000 [pF]

Material, Farbe, Design:

Art des Materials:Cu Base 
Material: Gehäuse!_si-silicon_! 

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.03 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.054 [°C/W]

Abmessungen:

Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:900 [g]
VPE (Verpackung):10 

Alternativen und Ersätze

Alternative Produkte 1:FF650R17IE4D 
Alternative Produkte 2:2MBI650VXA-17E 

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