IGBT 1700V / 650A
ID Code: | 182871 |
Hersteller: | Dynex Semiconductor |
Preis inkl. MwSt. : | 615,513428 € |
Preis ohne MwSt. : | 508,688784 € |
MwSt.: | 21 % |
Verfügbarkeit: | Auf Lager |
Gesamtbestand: | 29 Stück |
Herstellerkennzeichnung: | TG650HF17H2-S300 |
Zentrallager Zdice: | 29 Stück |
Einheit:: | Stück |
Übersicht über Mengenrabatte | Anzahl (Stück) | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. | |
1 + | 508,688784 € | 615,513429 € | ||
3 + | 495,971564 € | 600,125592 € | ||
6 + | 470,537125 € | 569,349921 € | ||
12 + | 432,385466 € | 523,186414 € |
Herstellerkennzeichnung | TG650HF17H2-S300 |
Art der Komponente: | IGBT |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguration: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Konstruktion: | 2*(IGBT+D) |
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) | 2 ks |
Gehäusetyp: | Modul |
Gehäuse [inch] : | PrimePACK2 |
Art des Materials: | Si-Silicon |
Material Base | Cu |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 990 [g] |
Verpackungstyp: | BOX |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 4 |
Große Verpackung (BOX): | 12 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 650 [A] |
Idc max (Tc/Ta=90÷99°C) | 650 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.9 [VDC] ? Testbedingungen: |
UCE (sat) (@25°C) | 1.85 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 64000 [A2s] |
Pmax mit Kühler (TC=25°C) | 4160 [W] |
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C) | 240 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 170 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 360 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 7700 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 83000 [pF] |
Maße (L*W*H) [mm]: | 172x89x38 |
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 150 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.03 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.054 [°C/W] |
L - Länge | 172 [mm] |
W - Breite | 89 [mm] |
H - Höhe | 38 [mm] |
Alternative 1: | 184924 - DIM 650H2HS17-PA500 (DYN) |
Alternative Produkte 1: | FF650R17IE4D |
Alternative Produkte 2: | 2MBI650VXA-17E |