Press-Pack IGBT + Diode 4500V/1200A
Grundlegende Informationen:
Herstellerkennzeichnung | DPI1200P45C2626 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguration: | single 1*(T+D) |
Konstruktion: | 1*(IGBT+D) |
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) | 1 ks |
Gehäusetyp: | PUK |
Gehäuse [inch] : | PUK170/125x27T |
Art des Materials: | Si-Silicon |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Verpackung und Gewicht:
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 3700 [g] |
Verpackungstyp: | BOX |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 6 |
Elektrophysikalische Parameter:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 1200 [A] |
Idc max (Tc/Ta=90÷99°C) | 1200 [A] |
UF (maximum forward voltage) | 2.3 [VDC] ?Testbedingungen: Ta=25°C, IF=In/Imax |
UCE (sat) (@25°C) | 2.6 [V] |
Pmax mit Kühler (TC=25°C) | 11400 [W] |
tr (Turn-on / rise time) | 400 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 2900 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 19000 [nC] |
Thermische und mechanische Parameter:
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 125 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.009 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.009 [°C/W] |
D - Ø (Außendurchmesser) | 170 [mm] |
H - Höhe | 27 [mm] |
Fmin: | 50000 [N] |
Fmax: | 70000 [N] |
Alternativen und Ersätze
Alternative Produkte 1: | T1600GB45E |
Alternative Produkte 2: | 5SNA 2000K451300 |
Alternative Produkte 3: | T1600GB45G |