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DPI1200P45C2626

Press-Pack IGBT + Diode 4500V/1200A

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DPI1200P45C2626 Dynex Semiconductor
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ID Code:182836
Hersteller:Dynex Semiconductor
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Herstellerkennzeichnung: DPI1200P45C2626
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Press-Pack IGBT + Diode 4500V/1200A

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDPI1200P45C2626 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:single 1*(T+D) 
Konstruktion:1*(IGBT+D) 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 1 ks
Gehäusetyp:PUK 
Gehäuse [inch] :PUK170/125x27T 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:3700 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)1200 [A]
Idc max (Tc/Ta=90÷99°C)1200 [A]
UF (maximum forward voltage)2.3 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.6 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)11400 [W]
tr (Turn-on / rise time)400 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)2900 [ns]
Qg (Total Gate Charge)19000 [nC]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rthjc1 IGBT0.009 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.009 [°C/W]
D - Ø (Außendurchmesser)170 [mm]
H - Höhe 27 [mm]
Fmin:50000 [N]
Fmax:70000 [N]

Alternativen und Ersätze

Alternative Produkte 1:T1600GB45E 
Alternative Produkte 2:5SNA 2000K451300 
Alternative Produkte 3:T1600GB45G 

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