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DAGNI100600N

IGBT 600V

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DAGNI100600N Daco Semiconductor
DAGNI100600N Daco Semiconductor
Stück
ID Code:182603
Hersteller:Daco Semiconductor
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Herstellerkennzeichnung: DAGNI100600N
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IGBT 600V

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDAGNI100600N 
Gehäusetyp:!_mod_! 
Gehäuse:SOT-227 
Konfiguration:single Transistor 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA

Elektrische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 600 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)100 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)100 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UCE (sat) (@25°C)2.6 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)400 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
tr (Turn-on / rise time)300 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)350 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.02 [MHz] ?

fmax - Definitionen für Komponenten


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Cin (Input Capacitance)8000 [pF]

Material, Farbe, Design:

Material: Gehäuse!_si-silicon_! 

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.31 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Abmessungen:

Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:43.2 [g]
VPE (Verpackung):10 

Alternativen und Ersätze

Alternative Produkte 1:IXGN60N60 

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ID: 181709   Hersteller-Nr.: IP50-F05-AL2-25,4x38,1mm-Uni  
Menge [Stück]1+10+
EUR/Stück0,69780,6590
Gesamtbestand: 609
Hersteller: -  
RoHS
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