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PSBH25/12

IGBT 600V

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PSBH25/12 Powersem
PSBH25/12 Powersem
Stück
ID Code:182185
Hersteller:Powersem
Preis inkl. MwSt. : 26,8837 €
Preis ohne MwSt. : 22,2179 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
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Herstellerkennzeichnung: PSBH25-12
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IGBT 600V

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungPSBH25-12 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:!_eco-pac 1_! 
Kategorie1f Controlled 
Konfiguration:Half Bridge 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA

Elektrische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)32 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)32 [A]
UCE (sat) (@25°C)2.1 [V]
Input Logic Level (UGS level)15V 
tr (Turn-on / rise time)80 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)50 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.01 [MHz] ?

fmax - Definitionen für Komponenten


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)720 [nC]
Cin (Input Capacitance)17000 [pF]

Material, Farbe, Design:

Art des Materials:!_si-silicon_! 

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.33 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Abmessungen:

Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:17.9655 [g]
VPE (Verpackung):25 

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