IGBT 1200V - 3-Level Inverter
Grundlegende Informationen:
Herstellerkennzeichnung | SK150TMLI12F4Tp |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguration: | 3-level TNPC Inverter |
Konstruktion: | 4*(IGBT+D) |
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) | 4 ks |
Gehäusetyp: | Modul |
Gehäuse [inch] : | SEMITOP-4 |
Art des Materials: | Si-Silicon |
Material Base | Ceramic |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Verpackung und Gewicht:
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 60 [g] |
Verpackungstyp: | BOX |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 10 |
Elektrophysikalische Parameter:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 180 [A] |
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 145 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.2 [VDC] ?Testbedingungen: Ta=25°C, IF=In/Imax |
UCE (sat) (@25°C) | 2.05 [V] |
Qg (Total Gate Charge) | 1030 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 8310 [pF] |
Thermische und mechanische Parameter:
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 125 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.24 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.65 [°C/W] |
L - Länge | 55 [mm] |
W - Breite | 60 [mm] |
H - Höhe | 15 [mm] |