Fully controlled 3 phase bridge 1200V/167A
Grundlegende Informationen:
Herstellerkennzeichnung | PSDT175-12 |
Ausführung: | Screw terminal |
Art der Komponente: | Bridge 3f Controlled |
Kategorie | Bridge Standard Si |
Konfiguration: | Bridge 3f-C |
Gehäusetyp: | Modul |
Gehäuse [inch] : | SEMIPONT-4s |
Art des Materials: | Si-Silicon |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Verpackung und Gewicht:
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 316 [g] |
Verpackungstyp: | BOX |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 5 |
Elektrophysikalische Parameter:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 167 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 167 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
IR (Rückstrom) | 5000 [µA] |
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage) | 1000 [V/µs] |
di/dt (critical rate of rise of on-state current) | 150 [A/µs] |
I2t (TC/TA=25°C) | 11200 [A2s] |
Thermische und mechanische Parameter:
Maße (L*W*H) [mm]: | 94x54x30 |
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 125 [°C] |
Rth-c (Wärmewiderstand) | 0.46 [°C/W] ?Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten
Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse
Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
L - Länge | 94 [mm] |
W - Breite | 54 [mm] |
H - Höhe | 30 [mm] |