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IXFN60N80P

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IXFN60N80P Ixys
IXFN60N80P Ixys
Stück
ID Code:181387
Hersteller:Ixys
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Herstellerkennzeichnung: IXFN60N80P
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Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungIXFN60N80P 
Gehäusetyp:!_mod_! 
Fall:SOT-227 
Art der Komponente:!_n-mosfet_! 
Konfiguration:!_single 1*(t+d)_! 
RoHSJa 
REACHNein 

Elektrische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 800 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)53 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)53 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)1040 [W]
Input Logic Level (UGS level)10V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)140 [mΩ]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)250 [ns]
Qg (Total Gate Charge)250 [nC]

Material, Farbe, Design:

Material:!_si-silicon_! 

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.12 [°C/W]

Abmessungen:

Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:0.09 [g]
VPE (Verpackung):10 

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