ID Code: | 181184 |
Hersteller: | Sirectifier |
Preis inkl. MwSt. : | 65,9531 € |
Preis ohne MwSt. : | 54,5067 € |
MwSt.: | 21 % |
Verfügbarkeit: | auf Anfrage |
Gesamtbestand: | 0 Stück |
Herstellerkennzeichnung: | SDD200N18 |
Zentrallager Zdice: | 0 Stück |
Externlager Karlsbad (Lieferzeit 5÷10 Tage): | 0 Stück |
Einheit:: | Stück |
Mengenrabatt | Anzahl | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. |
1 + | 54,5067 € | 65,9531 € |
5 + | 50,4749 € | 61,0746 € |
Herstellerkennzeichnung | SDD200N18 |
Gehäusetyp: | !_mod_! |
Gehäuse: | !_semipack-2ds_! |
Art der Komponente: | !_diode standard_! |
Konfiguration: | 2xDiode, Serie |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | A |
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1800 [V] ? Udc - Definitionen für Komponenten Udc = URRM - Diode Udc = UDRM, URRM - Thyristor Udc = UCEO - Transistoren Udc = Umax - |
If (AV) per pkg. | 224 [A] |
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 224 [A] ? Strömen bei der niedrigsten Temperatur. Idc=IF (AV) - Diode Idc=IT (AV) - Thyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Transistor: FET
|
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 224 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 3000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.15 [VDC] ? Testbedingungen: |
IR (Rückstrom) | 20000 [µA] |
Material: Gehäuse | !_si-silicon_! |
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 125 [°C] |
Rth-c (Wärmewiderstand) | 0.13 [°C/W] ? Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
Luftspalt (nach Artikelnummer) | 999.99 [mm] |
Abmessungen der Anschlüsse | 0.00 [mm] |
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 309 [g] |
VPE (Verpackung): | 10 |
Alternative 1: | SKKD212/18 |
Alternative 2: | MDD200-16N1 |