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DACMH200N1200

Full SiC MOSFET 1200V / 125A Half Bridge

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DACMH200N1200 Daco Semiconductor
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DACMH200N1200 Daco Semiconductor
Stück
ID Code:180903
Hersteller:Daco Semiconductor
Preis inkl. MwSt. : 594,552065 €
Preis ohne MwSt. : 491,365343 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: DACMH200N1200
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Full SiC MOSFET 1200V / 125A Half Bridge

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDACMH200N1200 
Art der Komponente:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD) 
Konfiguration:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Spezifikationen:SiC Enhancement Mode MOSF 
Konstruktion:2*FET-BD 
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :HB-9434 
Art des Materials:SiC Full 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:185 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):12 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)125 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)3000 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)980 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)220 [ns]
tr (Turn-on / rise time)32 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)32 [ns]
Qg (Total Gate Charge)382 [nC]
Cin (Input Capacitance)7500 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:94x34x30 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-50 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.13 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

L - Länge 94 [mm]
W - Breite 34 [mm]
H - Höhe 30 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative Produkte 1:CAS120M12BM2 

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ID: 181711   Hersteller-Nr.: F05-AL2_34x94mm_SEMIPACK2  
Menge [Stück]1+50+200+500+
EUR/Stück1,8059671,6676551,4463541,335704
Gesamtbestand: 177
Hersteller: SEMIC EU  
RoHS
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