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DAMJ78N650P

MOSFET 650V / 78A, 0,38 ohm, TO-247

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DAMJ78N650P Daco Semiconductor
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ID Code:179037
Hersteller:Daco Semiconductor
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Herstellerkennzeichnung: DAMJ78N650P
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MOSFET 650V / 78A, 0,38 ohm, TO-247

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDAMJ78N650P 
Art der Komponente:FET Tranzistor 
KategorieFET N-Channel 
Konfiguration:Single 1*(T-BD) 
Spezifikationen:Enhancement Mode 
Konstruktion:1*FET-BD 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 1 ks
Gehäusetyp:THT 
Gehäuse [inch] :TO-247AC_3 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:7.2 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):25 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 650 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)49.3 [A]
UF (maximum forward voltage)1.3 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

Pmax mit Kühler (TC=25°C)480 [W]
Input Logic Level (UGS level)10V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)380 [mΩ]
tr (Turn-on / rise time)62 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)97 [ns]
Qg (Total Gate Charge)93.2 [nC]
Cin (Input Capacitance)6814 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:TO-247 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.26 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

RM - Anschlussraster5.45 [mm]
Anzahl der Stifte
L - Länge 20 [mm]
W - Breite 15.6 [mm]
H - Höhe [mm]
Abmessungen der Anschlüsse1,20x0,60 [mm]
Lv - Anschlusslänge14.6 [mm]

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