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DAMJ4N700D

MOSFET 700V / 4A, 0,93 ohm, TO-252

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DAMJ4N700D Daco Semiconductor
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ID Code:179025
Hersteller:Daco Semiconductor
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Herstellerkennzeichnung: DAMJ4N700D
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MOSFET 700V / 4A, 0,93 ohm, TO-252

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDAMJ4N700D 
Art der Komponente:FET Tranzistor 
KategorieFET N-Channel 
Konfiguration:Single 1*(T-BD) 
Spezifikationen:Enhancement Mode 
Konstruktion:1*FET-BD 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 1 ks
Gehäusetyp:SMD 
Gehäuse [inch] :DPAK 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:0.36 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):50 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 700 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)2.5 [A]
UF (maximum forward voltage)1.2 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

Pmax mit Kühler (TC=25°C)50 [W]
Input Logic Level (UGS level)10V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)930 [mΩ]
tr (Turn-on / rise time)12 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)[ns]
Qg (Total Gate Charge)13 [nC]
Cin (Input Capacitance)450 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)2.5 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

L - Länge 6.5 [mm]
W - Breite 2.3 [mm]
H - Höhe 6.1 [mm]

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