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DAMI160N200

N-channel MOSFET 200V / 130A

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DAMI160N200 Daco Semiconductor
DAMI160N200 Daco Semiconductor
DAMI160N200 Daco Semiconductor
DAMI160N200 Daco Semiconductor
Stück
ID Code:179015
Hersteller:Daco Semiconductor
Preis inkl. MwSt. : 54,510966 €
Preis ohne MwSt. : 45,050385 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: DAMI160N200
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7 + 40,308239 €48,772969 €


Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungDAMI160N200 
Art der Komponente:FET Tranzistor 
KategorieFET N-Channel 
Konfiguration:Single 1*(T-BD) 
Spezifikationen:Enhancement Mode 
Konstruktion:1*FET-BD 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 1 ks
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :SOT-227 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:36 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):13 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)130 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)0.9 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

Pmax mit Kühler (TC=25°C)440 [W]
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)10.3 [mΩ]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)250 [ns]
tr (Turn-on / rise time)36 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)40 [ns]
Qg (Total Gate Charge)198 [nC]
Cin (Input Capacitance)30790 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:38.1*25.3*12.0 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-50 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.25 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

RM - Anschlussraster15 [mm]
RM1 - Abstand der Reihen 12.7 [mm]
D - Ø (Außendurchmesser)4.1 [mm]
L - Länge 38.1 [mm]
W - Breite 25.3 [mm]
H - Höhe 12 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative Produkte 1:IXFN180N20 

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